来源：苹果日报

全新晶圆厂在本月初已开始量产96层3D NAND Flash。业者提供

东芝记忆体公司(Toshiba Memory Corporation)与Western Digital公司今日共同于日本三重县四日市的6号晶圆厂(Fab 6)举行开幕仪式。

该晶圆厂为新设先进半导体制造厂区，并设有记忆体研发中心(Memory R&D Center)。

东芝记忆体公司于2017年2月开始兴建6号晶圆厂，作为生产3D NAND Flash（快闪记忆体）的专用厂区。东芝记忆体公司与Western Digital已针对沉积(deposition)与蚀刻(etching)等关键生产制程部署先进制造设备，新晶圆厂在本月初已开始量产96层3D NAND Flash。

3D NAND Flash在企业伺服器、资料中心及智慧型手机的需求不断成长，未来几年这些需求将持续扩大；为因应此市场趋势，可望进一步投资扩大产能。

与6号晶圆厂相毗邻的记忆体研发中心已于今年3月开始营运，负责研发并推动3D NAND Flash的发展工作。

东芝记忆体公司与Western Digital将持续推动并扩展双方在记忆体事业的领导地位，积极开发各项计画以强化竞争力，推动3D NAND Flash的共同开发，并根据市场趋势规划资本的投入。

东芝记忆体公司社长暨执行长成毛康雄(Yasuo Naruke)表示：「很高兴有这个机会能为新一代的3D NAND Flash开拓更广阔的市场。6号晶圆厂和记忆体研发中心能让我们在3D NAND Flash市场中维持领先地位，藉由与Western Digital的合资事业，将协助四日市的工厂继续生产最先进的记忆体。」

Western Digital执行长Steve Milligan同步指出：「近20年来我们合作无间，带动了NAND​​ Flash技术的成长和创新。此外，目前正积极提升96层3D NAND产能，以因应从消费性、行动应用到云端资料中心等终端市场的各式商机。6号晶圆厂具备先进技术设备，将进一步提升在业界技术领先和成本领导的地位。」（杨喻斐／台北报导）